METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED WITH SUCH A METHOD

• Main Authors: MADAKASIRA, VIJAYARAGHAVAN, BAKKERS, ERIK, P., A., M, VAN DEN EINDEN, WILHELMUS, T., A., J, TARLE-BORGSTROEM, LARS, M, WUNNICKE, OLAF
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 21.02.2008
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device (10) with a semiconductor body (1) which is provided with at least one semiconductor element, wherein on the surface of the semiconductor body (1) a mesa- shaped semiconductor region (2) is formed, a masking layer (3) is deposited over the mesa-shaped semiconductor region (2), a part (3A) of the masking layer (3) is removed that borders a side surface of the mesa-shaped semiconductor region (2) near its top and an electrically conducting connection region (4) is formed on the resulting structure forming a contact for the mesa-shaped semiconductor region (2). According to the invention after removal of said part (3A) of the masking layer (3) but before formation of the electrically conducting connection region (4) the mesa- shaped semiconductor region (2) is widened by an additional semiconductor region (5) at the side surface of the mesa- shaped semiconductor region (2) freed by removal of said part (3A) of the masking layer (3). In this way device (10) having a very low contact resistance are obtainable in a simple manner. Preferably the mesa-shaped semiconductor region (2) is formed a nano-wire by a further epitaxial growth process like VLS. The additional region (5) may be obtained e.g. by MOVPE. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur (10) comportant un corps de semiconducteur (1) qui comprend au moins un élément semiconducteur, sachant que sur la surface du corps de semiconducteur (1), une région semiconductrice à structure mésa (2) est formée, un masque (3) est placé sur cette région (2), une partie (3A) du masque (3) qui borde une surface latérale de la région semiconductrice à structure mésa (2) près du haut est retirée, et une région de connexion à conduction électrique (4) est formée sur la structure résultante formant un contact pour la région semiconductrice à structure mésa (2). Selon l'invention, après le retrait de ladite partie (3A) du masque (3) mais avant la formation de la région de connexion à conduction électrique (4), la région semiconductrice à structure mésa (2) est élargie par une région semiconductrice supplémentaire (5) sur la surface latérale de la région semiconductrice à structure mesa (2) libérée par le retrait de ladite partie (3A) de la couche masquante (3). De cette manière, on obtient de manière très simple un dispositif (10) ayant une résistance très faible au contact. La région semiconductrice à structure mésa est de préférence formée d'un nanofil par procédé de croissance épitaxiale ultérieur tel que VLS. La région supplémentaire (5) peut être obtenue p. ex. par MOVPE.