USE OF CARBON CO-IMPLANTATION WITH MILLISECOND ANNEAL TO PRODUCE ULTRA-SHALLOW JUNCTIONS

• Main Authors: FELCH, SUSAN, B, HIGASHI, GREGG, S
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 07.02.2008
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Embodiments of the present invention include methods for forming an ultra-shallow junction in a substrate. In one embodiment, the method includes providing a silicon substrate, co-implanting the silicon substrate with carbon and a dopant to form a doped silicon substrate, and exposing the silicon substrate to a short time thermal anneal. In certain embodiments, the silicon substrate is exposed to a rapid thermal anneal after co-implanting the silicon substrate but prior to exposing the silicon substrate to a short time thermal anneal. In certain embodiments, the pre-amorphization implant is performed on the silicon substrate prior to implanting the silicon substrate with carbon and a dopant. In certain embodiments, the silicon substrate is a monocrystalline silicon substrate. L'invention porte dans ses différentes variantes sur des procédés de formation de jonctions très peu profondes dans des substrats. Dans une exécution, le procédé consiste à co-implanter dans un substrat de silicium du carbone et un dopant pour obtenir un substrat dopé au silicium, puis à exposer le substrat à un recuit de courte durée. Dans certaines exécutions, le substrat est exposé à un recuit ultra rapide après sa co-implantation, mais avant de l'exposer à un recuit de courte durée. Dans certaines exécutions, on effectue un implant de pré-amorphisation dans le substrat de silicium avant sa co-implantation de carbone et de dopant. Dans certaines exécutions, le substrat de silicium est monocristallin.