METHOD FOR FORMING PREDETERMINED PATTERNS ON A WAFER BY DIRECT ETCHING WITH NEUTRAL PARTICLE BEAMS

There is provided a method for forming a pattern on a wafer by direct etching with neutral particle beam, comprising a) penetrating the neutral particle beam through a mask into which the pattern is formed, b) directly colliding the neutral particle beam passed through the mask with the wafer onto w...

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Main Authors LEE, BONG-JU, YOO, SUK-JAE
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 03.01.2008
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Summary:There is provided a method for forming a pattern on a wafer by direct etching with neutral particle beam, comprising a) penetrating the neutral particle beam through a mask into which the pattern is formed, b) directly colliding the neutral particle beam passed through the mask with the wafer onto which no photo-resist is coated, and c) removing wafer-forming material of a region that comes in contact with the neutral particle beam to form negative pattern on the wafer. The method makes it possible to form the pattern on the wafer by direct etching, even without coating of the photo-resist, exposure, developing or removal of the photo-resist. And it avoids disadvantages caused by direct contact of shields with the wafer, such as difficulty in the organized arrangement of the shields onto the wafer and damage to the wafer by the shields. La présente invention concerne un procédé permettant de former un motif sur une plaquette par gravure directe avec un faisceau de particules neutres. Ce procédé consiste : (a) à provoquer une collision directe du faisceau de particules neutres passant à travers le masque avec la plaquette sur laquelle aucune photo résine n'est déposée et, (c) à retirer le matériau de formation de plaquette d'une région qui entre en contact avec le faisceau de particules neutres de façon à former un motif négatif sur cette plaquette. Ce procédé permet de former le motif sur la plaquette par gravure directe, même sans dépôt de photorésine, sans exposition, sans développement ni suppression de cette photorésine. Ce procédé permet d'éviter les inconvénients causés par le contact direct d'écrans avec la plaquette, tels que des difficultés posées dans l'agencement organisé des écrans sur la plaquette et les dégradations causées à cette plaquette par les écrans.
Bibliography:Application Number: WO2007KR03068