ELECTRODE STRUCTURES FOR LEDS WITH INCREASED ACTIVE AREA

• Main Author: SHUM, FRANK T
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 29.11.2007
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An electrode structure is disclosed for enhancing the brightness and/or efficiency of an LED. The electrode structure can have a metal electrode and an optically transmissive thick dielectric material formed intermediate the electrode and a light emitting semiconductor material. The electrode and the thick dielectric cooperate to reflect light from the semiconductor material back into the semiconductor so as to enhance the likelihood of the light ultimately being transmitted from the semiconductor material. Such LED can have enhanced utility and can be suitable for uses such as general illumination. The semiconductor material can have a cutout formed therein and a portion of the electrode can be formed outside of the cutout and a portion of the electrode can be formed inside of the cutout. The portion of the electrode outside the cutout can be electrically isolated from the semiconductor material by the dielectric material. Cette invention concerne une structure d'électrode conçue pour améliorer la brillance et/ou l'efficacité d'une DEL. La structure d'électrode peut présenter une électrode métallique et un matériau diélectrique épais pour la transmission optique formé entre l'électrode et un matériau semi-conducteur électroluminescent. L'électrode et le matériau diélectrique épais fonctionnent conjointement afin de réfléchir la lumière provenant du matériau semi-conducteur en direction du semi-conducteur de manière à augmenter la présence de la lumière transmise par le matériau semi-conducteur. De telles diodes électroluminescentes peuvent présenter une plus grande utilité et elles peuvent être utiles dans des applications telles que l'éclairage général. Le matériau semi-conducteur peut présenter une découpe et une partie de l'électrode peut être formée à l'intérieur de cette découpe. La partie de l'électrode située à l'extérieur de la découpe peut être électriquement isolée du matériau semi-conducteur par le matériau diélectrique.