PROCESS FOR FILLING RECESSED FEATURES IN A DIELECTRIC SUBSTRATE

A process for filling recessed features of a dielectric substrate for a semiconductor device, comprises the steps (a) providing a dielectric substrate having a recessed feature in a surface thereof, wherein the smallest dimension (width) across said feature is less than = 200 nm, a conductive layer...

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Main Author FLAKE, JOHN, C
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 11.10.2007
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:A process for filling recessed features of a dielectric substrate for a semiconductor device, comprises the steps (a) providing a dielectric substrate having a recessed feature in a surface thereof, wherein the smallest dimension (width) across said feature is less than = 200 nm, a conductive layer being present on at least a portion of said surface, (b) filling said recessed feature with a conductive material, and (c) prior to filling said recessed feature with said conductive material, treating said surface with an accelerator. L'invention concerne un procédé de remplissage de cavités d'un substrat diélectrique pour un dispositif à semiconducteurs, comprenant les étapes consistant à : (a) disposer un substrat diélectrique présentant à sa surface une cavité, la plus petite dimension (largeur) de ladite cavité étant inférieure ou égale à 200 nm, une couche conductrice étant présente sur au moins une partie de ladite surface, (b) remplir ladite cavité avec un matériau conducteur, et (c) avant de remplir ladite cavité avec ledit matériau conducteur, traiter ladite surface à l'aide d'un accélérateur.
Bibliography:Application Number: WO2006EP03970