SILICIDED NONVOLATILE MEMORY AND METHOD OF MAKING SAME

A memory device (10) is formed on a semiconductor substrate (12). A select gate electrode (37) and a control gate electrode (33) are formed adjacent to one another. One of either the select gate electrode (37) or the control gate electrodes (33) is recessed with respect to the other. The recess allo...

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Main Authors STEIMLE, ROBERT, F, CHANG, KO-MIN, PRINZ, ERWIN, J
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 20.09.2007
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:A memory device (10) is formed on a semiconductor substrate (12). A select gate electrode (37) and a control gate electrode (33) are formed adjacent to one another. One of either the select gate electrode (37) or the control gate electrodes (33) is recessed with respect to the other. The recess allows for a manufacturable process with which to form silicided surfaces on both the select gate electrode and the control gate electrode. La présente invention concerne un dispositif mémoire (10) formé sur un substrat semiconducteur (12). Une électrode grille de sélection (37) et une électrode porte de commande (33) sont formées l'une à côté de l'autre. De l'électrode grille de sélection (37) ou de l'électrode porte de commande (33), l'une est encastrée par rapport à l'autre. L'encastrement permet un processus de fabrication grâce auquel des surfaces siliciurées peuvent être formées à la fois sur l'électrode grille de sélection et sur l'électrode porte de commande.
Bibliography:Application Number: WO2007US62540