SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

• Main Author: ASOU, YUTAKA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 07.09.2007
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Generation of pattern failures is suppressed by peeling a modified layer formed on a resist surface after etching process and then effectively removing the peeled modified layer from the substrate prior to dissolving the resist in a reflow process. A substrate processing apparatus is provided with a first treatment solution supplying means (12) for supplying an etching solution for peeling a modified layer (207); a second treatment solution supplying means (13) for supplying a chemical for removing the unnecessary resist from a resist pattern (206); a third treatment solution supplying means (15) for supplying a rinse solution for removing the etching solution or the chemical supplied on the substrate; a drying means (11) for performing drying process to remove the rinse solution on the substrate from the substrate; and a control means (17) for controlling operation of the drying means (11). When the drying means (11) performs the drying process to remove the rinse solution used for the etching solution removal from the substrate, the control means (17) stops the drying process in a status where the rinse solution is left at least on the entire substrate. L'invention permet de supprimer la génération de défauts de motifs par décollement d'une couche modifiée formée sur une surface de réserve après une opération de gravure, la couche modifiée décollée étant alors enlevée du substrat avant la dissolution de la réserve dans une opération de refusion. Un appareil de traitement de substrat comprend une première unité d'alimentation en solution de traitement (12) destinée à fournir une solution de gravure permettant de décoller une couche modifiée (207), une deuxième unité d'alimentation en solution de traitement (13) destinée à fournir un produit chimique permettant d'enlever la réserve inutile d'un motif de réserve (206), une troisième unité d'alimentation en solution de traitement (15) destinée à fournir une solution de rinçage permettant d'enlever la solution de gravure ou le produit chimique appliqués sur le substrat, une unité de séchage (11) destinée à réaliser une opération de séchage afin d'enlever la solution de rinçage du substrat, ainsi qu'une unité de commande (17) servant à commander le fonctionnement de l'unité de séchage (11). Lorsque l'unité de séchage (11) réalise l'opération de séchage afin d'enlever la solution de rinçage utilisée pour enlever la solution de gravure du substrat, l'unité de commande (17) interrompt l'opération de séchage dans un état où la solution de rinçage est encore présente sur tout le substrat.