SILICON CARBIDE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH BUILT-IN SCHOTTKY DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH TRANSISTOR

• Main Authors: YATSUO, TSUTOMU, HARADA, SHINSUKE, OKAMOTO, MITSUO, FUKUDA, KENJI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 07.09.2007
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A SiC vertical MOSFET is provided with a channel region, and a base region inverted into n-type by ion implantation, in a low concentration p-type deposition film. A cell having a built-in Shottky diode region is arranged at least on a part of an element cell constituting the SiC vertical MOSFET. A second n-type base layer is formed on the built-in Shottky diode region by converting (inverting) the p-type deposition layer into n-type by n-type impurity ion implantation from the surface. The second n-type base layer penetrates a second deficient section arranged on a high-concentration gate layer and a low-concentration p-type deposition layer formed thereon, and reaches an n-type drift layer of the second deficient section. A low on-resistance Shottky diode constituted with a source electrode connected by forming a Schottky barrier is incorporated in a surface exposed portion of the second n-type base layer. La présente invention concerne un MOSFET vertical à SiC, muni d'une région de canal et d'une région de base inversée en type n par implantation d'ion, dans un film de dépôt de type p à faible concentration. Une cellule ayant une région de Schottky intégrée est placée au moins sur une partie d'une cellule d'élément constituant le MOSFET vertical à SiC. Une seconde couche de base de type n est formée sur la région de diode de Schottky intégrée en convertissant (inversant) la couche de dépôt de type p en type n par une implantation d'ions à impuretés de type n depuis la surface. La seconde couche de base de type n pénètre dans une seconde section déficiente placée sur une couche de grille à forte concentration et une couche de dépôt de type p à faible concentration par-dessus et atteint une couche de déplacement de type n de la seconde section déficiente. Une diode de Schottky à faible résistance constituée d'une électrode source reliée en formant une barrière de Schottky est incorporée dans une partie exposée de surface de la seconde couche de base de type n.