GAS HEAD AND THIN-FILM PRODUCTION APPARATUS

• Main Authors: KATO, NOBUYUKI, YAMADA, TAKAKAZU, UEMATSU, MASAKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 14.06.2007
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A gas head that at low cost, is capable of inhibiting any deactivation of radical gas and capable of uniformly introducing a raw material gas on a substrate; and a relevant thin-film production apparatus. There is provided gas head (13) comprising reactive gas introduction aperture (30A) for introduction of reactive gas, raw material gas introduction aperture (30B) for introduction of raw material gas and dispersion board (32) disposed opposite to the raw material gas introduction aperture (30B) for dispersing of raw material gas, wherein multiple raw material gas introduction apertures (30B) are disposed so as to surround the periphery of the reactive gas introduction aperture (30A). The reactive gas having been introduced in the reactive gas introduction aperture (30A) is led into the raw material gas introduction aperture (30B) and mixed with the raw material gas having been dispersed by means of the dispersion board (32). The raw material gas introduction apertures (30B), although in multiplicity disposed around the reactive gas introduction aperture (30A), are not needed to be minute holes such as shower holes. La présente invention concerne une tête de gaz qui est capable, pour un faible coût, d'inhiber toute désactivation de gaz radical et d'introduire de manière homogène un gaz brut dans un substrat ; ainsi qu'un appareil approprié destiné à produire un film mince. La tête de gaz (13) comprend une ouverture d'introduction de gaz réactif (30A) destinée à introduire un gaz réactif, une ouverture d'introduction de gaz brut (30B) destinée à introduire un gaz brut et un panneau de dispersion (32) disposé à l'opposé de l'ouverture d'introduction de gaz brut (30B) destiné à disperser un gaz brut, les multiples ouvertures d'introduction de gaz brut (30B) étant disposées de manière à entourer la périphérie de l'ouverture d'introduction de gaz réactif (30A). Le gaz réactif introduit dans l'ouverture d'introduction de gaz réactif (30A) est acheminé vers l'ouverture d'introduction de gaz brut (30B) et mélangé avec le gaz brut qui a été dispersé à l'aide du panneau de dispersion (32). Les ouvertures d'introduction de gaz brut (30B), bien qu'elles soient disposées autour de l'ouverture d'introduction de gaz réactif (30A), ne doivent pas nécessairement être de petits orifices tels que des orifices de douche.