NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

• Main Authors: SAKAI, MITSUHIKO, SONOBE, MASAYUKI, ITO, NORIKAZU
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 07.06.2007
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; TRANSPORTING

There is provided a nitride semiconductor light emitting device having a light reflecting layer capable of preventing lowering of reflectivity and lowering of the brightness due to the degradation of the quality of an active layer. A nitride semiconductor laser is provided, for example, on a substrate (1) and has at least a light emitting layer formation portion (3) provided on a first light reflecting layer (2) comprising low refractivity layers (21) and high refractivity layers (22) each having a different refractivity and alternately stacked on each other. The low refractivity layers (21) of the first light reflecting layer are formed with a single layer structure of an AlxGa1-xN layer (where, 0 = x = 1). The high refractivity layers (22) of the first light reflecting layer are formed with a multi-layer structure of an AlyGa1-yN layer (where, 0 = y = 0.5 and y < X) OR AN INtGa1-tN layer (where, 0 < T = 0.5) AND AN INuGa1-uN layer (where, 0 < u = 1 and t < u). La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur émetteur de lumière au nitrure comportant une couche réfléchissant la lumière capable d'empêcher la diminution de la réflectivité et la diminution de la luminosité causées par la dégradation de la qualité d'une couche active. Un laser semi-conducteur au nitrure est disposé, par exemple, sur un substrat (1) et comporte au moins une partie de formation (3) de couche émettrice de lumière disposée sur une première couche réfléchissant la lumière (2) comprenant des couches à faible réfractivité (21) et des couches à forte réfractivité (22) présentant chacune une réfractivité différente et empilées alternativement les unes sur les autres. Les couches à faible réfractivité (21) de la première couche réfléchissant la lumière sont constituées d'une structure monocouche d'une couche d'AlxGa1-xN (où 0 = x = 1). Les couches à forte réfractivité (22) de la première couche réfléchissant la lumière sont constituées d'une structure multicouche d'une couche d'AlyGa1-yN (où 0 = y = 0,5 et y < x) ou d'une couche d'IntGa1-tN layer (où 0 < t = 0,5) et d'une couche d'InuGa1-uN (où 0 < u = 1 et t < u).