METHOD FOR MANUFACTURING WAFER LEVEL PACKAGE STRUCTURE

• Main Authors: KATAOKA, KAZUSHI, OKUDO, TAKAFUMI, SUZUKI, YUJI, SAIJO, TAKASHI, BABA, TORU, TAKEGAWA, YOSHIYUKI, GOTOU, KOUJI, MIYAJIMA, HISAKAZU
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 31.05.2007
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT; MEASURING; MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION,OR SHOCK; MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES; MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY; NAVIGATION; PERFORMING OPERATIONS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY; PHYSICS; PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURVEYING; TESTING; TRANSPORTING

Provided is a method for manufacturing a wafer level package structure wherein a plurality of small sensors such as an acceleration sensor and a gyro sensor are formed. The wafer level package structure is composed of a semiconductor wafer whereupon a plurality of sensor units are formed, and a package wafer bonded on the surface of the sensor wafer. A surface activation region is formed on the surface of the sensor wafer and that of the package wafer by using plasma, ion beam or atom beam of an inert gas, then, the surface activation region of the semiconductor wafer is directly bonded on that of the package wafer at a room temperature. Thus, sensor characteristics are prevented from being fluctuated by residual stress on a bonding interface. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de boîtier sur tranche dans laquelle une pluralité de détecteurs de petite taille, tels qu'un détecteur d'accélération et un gyro-détecteur, sont formés. La structure de boîtier sur tranche est constituée par une tranche de semi-conducteur sur laquelle une pluralité d'unités de détection sont formées, et une tranche de boîtier collée sur la surface de la tranche de détection. Une zone d'activation de surface est formée sur la surface de la tranche de détection et sur celle de la tranche de boîtier à l'aide d'un plasma, d'un faisceau ionique ou d'un faisceau atomique d'un gaz inerte. Ensuite, la région d'activation de surface de la tranche de semi-conducteur est directement collée sur celle de la tranche de boîtier à température ambiante. Ainsi, les caractéristiques de détection ne varient pas sous l'effet de la contrainte résiduelle exercée sur une interface de collage.