MARK STRUCTURE, MARK MEASURING APPARATUS, PATTERN FORMING APPARATUS, PATTERN DETECTING APPARATUS, DETECTING METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

• Main Author: HAGIWARA, TSUNEYUKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 31.05.2007
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

A wafer mark (M) formed on a wafer has a periodic structure wherein the strength of even-number-order diffracted light is made weaker than that of odd-number-order diffracted light, i.e., reflected light of illuminating light from a light source of an alignment system. Therefore, the measurement error of the positional information of the wafer mark (M) due to the odd-number-order diffracted light is reduced. Furthermore, since the duty ratio of the wafer mark (M) is not necessarily 1:1, the reflectivity of the entire mark is improved and the mark position can be easily measured by the alignment system. La marque de galette (M) de l'invention formée sur une galette possède une structure périodique caractérisée en ce que la force de la lumière diffractée en ordre pair est plus faible que celle de la lumière diffractée en ordre impair, c'est-à-dire, la lumière réfléchie de la lumière d'éclairage à partir d'une source de lumière d'un système d'alignement. Ainsi, l'erreur de mesure des informations de position de la marque de galette (M) liée à la lumière diffractée en ordre impair est réduite. De plus, comme le rapport cyclique de la marque de galette (M) n'est pas nécessairement 1:1, la réflectivité de toute la marque est améliorée et la position de la marque peut se mesurer facilement à l'aide du système d'alignement.