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Summary:Process for the production of doped metal oxide particles, wherein the doping component is present on the surface in the form of domains, wherein in a first reaction zone, an oxidizable and/or - hydrolysable metal compound as dopant together with an atomization gas is atomised into a flow of metal oxide particles in a carrier gas, wherein the mass flow of the metal oxide particles und - the mass flow of the dopant are selected such that the doped metal oxide particles contain 10 ppm to 10 wt.% of the doping component, where the quantity of dopant to be introduced is calculated as the corresponding oxide, and wherein the temperature in the first reaction zone is - selected such that it is below the boiling temperature of the dopant under the prevailing reaction conditions, and then, in a second reaction zone, the flow from the first - reaction zone and optionally at least as much oxygen and/or steam are - introduced that the quantity of oxygen and/or steam at least suffices completely to convert the dopant, wherein the temperature is from 300 to 2000°C, - preferably 500 to 1000°C, and the reaction mixture is then cooled or allowed to cool and the doped metal oxide particles are separated from the gaseous substances. L'invention concerne un procédé pour la production de particules d'oxyde de métal dopées, le composant dopant étant présent sur la surface sous la forme de domaines, consistant à : atomiser, dans une première zone de réaction, un composé de métal oxydable et/ou hydrolysable servant de dopant avec un gaz d'atomisation dans un flux de particules d'oxyde de métal contenues dans un gaz vecteur, le débit massique des particules d'oxyde de métal et le débit massique du dopant étant sélectionnés de façon à ce que les particules d'oxyde de métal dopées contiennent 10 ppm à 10 % en poids du composant dopant, la quantité du dopant à introduire étant calculée en termes de l'oxyde correspondant, et la température dans la première zone de réaction étant sélectionnée de façon à ce qu'elle soit en dessous de la température d'ébullition du dopant dans les conditions de réaction ambiantes ; et ensuite, introduire, dans une seconde zone de réaction, le flux provenant de la première zone de réaction et éventuellement au moins autant d'oxygène et/ou de vapeur de façon à ce que la quantité d'oxygène et/ou de vapeur au moins suffise complètement à convertir le dopant, la température allant de 300 à 2000°C, de préférence de 500 à 1000°C ; et refroidir ou laisser refroidir ensuite le mélange de réaction et séparer les particules d'oxyde de métal dopées des substances gazeuses.
Bibliography:Application Number: WO2006EP67232