METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: LUDIKHUIZE, ADRIANUS, W, STRIJKER, JOAN, WICHARD, WEIJLAND, INESZ, M
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 10.05.2007
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The method of the invention discloses a cheaper way of manufacturing a semiconductor device such as a lateral high voltage field-effect (HV-FET) transistor. The method comprises: a substrate of a first conductivity type (1) , - Implanting a first dopant to form a first region (2) of a second conductivity type in the substrate, (and diffusing this) - Forming a second region (3) of the first conductivity type, the first region (2) and the second region (3) forming a pn junction. The second region (3) is a surface layer which is formed by implanting the second dopant at the surface (4) of the substrate. - Subsequently the surface layer is covered by forming a first epitaxial layer (5) of the first conductivity type on the surface layer (3) . The use of an expensive high energy implanter (MeV) can be omitted in the manufacturing of one or more regions disposed on top of each other, thereby obtaining a reduction in cost . L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs économique de type transistor latéral à effet de champ haute tension (HV-FET). Le procédé de l'invention consiste : à utiliser un substrat d'un premier type de conductivité (1) ; à implanter un premier dopant afin que soit formée une première région (2) d'un deuxième type de conductivité dans le substrat (et à le diffuser) ; à former une deuxième région (3) du premier type de conductivité, la première région (2) et la deuxième région (3) formant une jonction pn. La deuxième région (3) est une couche superficielle qui est formée par implantation d'un deuxième dopant dans la surface (4) du substrat. La couche superficielle est ensuite recouverte par formation d'une première couche épitaxiale (5) du premier type de conductivité. Le procédé de l'invention permet de ne pas utiliser d'implanteur haute énergie (MeV) pour la fabrication d'une ou de plusieurs régions disposées les unes sur les autres, et de réaliser ainsi des économies de coût.