METHODS FOR PERFORMING CIRCUIT EDIT OPERATIONS WITH LOW LANDING ENERGY ELECTRON BEAMS

• Main Authors: LAGAREC, KEN, GUILLAUME, KRECHMER, ALEXANDER, PHANEUF, MICHAEL, WILLIAM
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 21.06.2007
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS

Methods for using sub-100V electron beam landing energies for performing circuit edit operations. Circuit edit operations can include imaging for navigation and etching in the presence of a suitable gas. Low landing energies can be obtained by modifying a decelerator system of native FESEM equipment, or by using biasing means near the sample surface for decelerating electrons of the primary beam. At low landing energies near the operating voltage of a semiconductor circuit, voltage contrast effects can be visually seen for enhancing operator navigation. Low landing energies can be used during etching processes for minimizing the interaction volume of the beam and obtaining accurate and localized etching. L'invention concerne des procédés d'utilisation d'énergies d'impact à faisceaux électroniques inférieures à 100V dans des opérations de montage de circuits. Les opérations de montage de circuits peuvent comprendre l'imagerie de navigation et de gravure en présence de gaz approprié. Les faibles énergies d'impact peuvent être obtenues par la modification d'un système de ralentissement d'un équipement FESEM d'origine, ou par l'utilisation de moyens de polarisation à proximité de la surface de l'échantillon, de manière à ralentir les électrons du faisceau primaire. Avec une faible énergie d'impact proche de la tension de fonctionnement d'un circuit à semiconducteur, les effets de contraste de tension peuvent être visuellement observés aux fins d'amélioration de la navigation de l'opérateur. Les faibles énergies d'impact peuvent permettre, dans des opérations de gravure, de réduire au minimum le volume d'interaction du faisceau et d'obtenir ainsi une gravure précise et localisée.