COMPOSITION AND METHOD FOR SELECTIVELY ETCHING GATE SPACER OXIDE MATERIAL

• Main Authors: RAJARATNAM, MARTHA, MINSEK, DAVID W, BERNHARD, DAVID D
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 16.04.2009
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A gate spacer oxide material removal composition and process for at least partial removal of gate spacer oxide material from a microelectronic device having same thereon. The anhydrous removal composition includes at least one organic solvent, at least one chelating agent, a base fluoride:acid fluoride component, and optionally at least one passivator. The composition achieves the selective removal of gate spacer oxide material relative to polysilicon and silicon nitride from the vicinity of the gate electrode on the surface of the microelectronic device with minimal etching of metal silicide interconnect material species employed in the gate electrode architecture. L'invention concerne une composition de suppression de matériau oxydant d'espacement de grille, et un procédé pour supprimer au moins partiellement un matériau oxydant d'espacement de grille se trouvant sur un dispositif microélectronique. La composition de suppression anhydre comprend au moins un solvant organique, au moins un chélateur, un composant fluorure base:fluorure acide, et éventuellement un agent de passivation. La composition selon l'invention permet de supprimer sélectivement le matériau oxydant d'espacement de grille par rapport au nitrure de polysilicium et de silicium, à proximité de l'électrode de grille, sur la surface du dispositif microélectronique, le matériau d'interconnexion de type siliciure métallique qui est employé dans l'architecture de l'électrode de grille étant soumis à une attaque minimale.