SUBSTRATE PLACEMENT DETERMINATION USING SUBSTRATE BACKSIDE PRESSURE MEASUREMENT

• Main Author: BANG, WON, B
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 29.03.2007
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CORONA DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SPARK GAPS; SPARKING PLUGS

We have discovered a method of using the vacuum chuck/heater upon which a substrate wafer is positioned to determine whether the wafer is properly placed on the vacuum chuck. The method employs measurement of a rate of increase in pressure in a confined space beneath the substrate. Because the substrate is not hermetically sealed to the upper surface of the vacuum chuck/heater apparatus, pressure from the processing chamber above the substrate surface tends to leak around the edges of the substrate and into the space beneath the substrate which is at a lower pressure. A pressure sensing device, such as a pressure transducer is in communication with a confined volume present beneath the substrate. The rate of pressure increase in the confined volume is measured. If the substrate. is well positioned on the vacuum chuck/heater apparatus, the rate of pressure increase in the confined volume beneath the substrate is slow. If the substrate is not well positioned on the vacuum chuck/heater apparatus, the rate of pressure increase is more rapid. L'invention concerne un procédé d'utilisation de l'ensemble plateau de maintien à vide/élément chauffant, sur lequel une tranche de substrat est positionnée, pour déterminer si cette tranche est correctement placée sur le plateau de maintien à vide. Ce procédé consiste à mesurer une vitesse d'augmentation de pression dans un espace confiné situé sous le substrat. Du fait que ce substrat n'est pas scellé hermétiquement sur la surface supérieure de l'ensemble plateau de maintien à vide/élément chauffant, la pression régnant dans la chambre de traitement située au-dessus de la surface du substrat a tendance à fuir vers les bords du substrat et vers l'espace situé sous le substrat, lequel espace est soumis à une pression inférieure. Un dispositif capteur de pression, tel qu'un transducteur de pression, communique avec un volume confiné situé sous le substrat. La vitesse d'augmentation de pression dans le volume confiné est mesurée. Si le substrat est bien positionné sur l'ensemble plateau de maintien à vide/élément chauffant, l'augmentation de pression dans le volume confiné situé sous le substrat est lente. Si ce substrat n'est pas bien positionné sur l'ensemble plateau de maintien à vide/élément chauffant, l'augmentation de pression est plus rapide.