CIRCUIT CONNECTION STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR CIRCUIT CONNECTION STRUCTURE

Disclosed is a circuit connection structure wherein excellent adhesion is attained between a heat-resistant resin film and a circuit connecting member even under high temperature, high humidity conditions by improving adhesion of the heat-resistant resin film by introducing a chemically stable funct...

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Main Authors KANEYA, YUUICHI, TANAKA, TOSHIAKI, ITABASHI, TOSHIAKI
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 01.03.2007
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Summary:Disclosed is a circuit connection structure wherein excellent adhesion is attained between a heat-resistant resin film and a circuit connecting member even under high temperature, high humidity conditions by improving adhesion of the heat-resistant resin film by introducing a chemically stable functional group into the heat-resistant resin film through an additional surface treatment. Specifically disclosed is a circuit connection structure (1A) wherein a semiconductor substrate (2) and a circuit member (3) are bonded together with a circuit connecting member (4) interposed between them. A first circuit electrode (6) on the surface of the semiconductor substrate (2) and a second circuit electrode (7) of the circuit member (3) are electrically connected with each other by conductive particles (8) in the circuit connecting member (4). The semiconductor substrate (2) is surface-modified by a plasma process using a nitrogen-based gas containing nitrogen, ammonia and the like. Consequently, the heat-resistant resin film (5) of the semiconductor substrate (2) and the circuit connecting member (4) are firmly bonded with each other over a long time even under high temperature, high humidity conditions. L'invention concerne une structure de connexion de circuit, caractérisée en ce que l'on obtient une excellente adhérence entre un film de résine résistant thermiquement et un élément de connexion de circuit même des conditions de haute température et de forte humidité en améliorant l'adhérence du film de résine résistant thermiquement en introduisant un groupe fonctionnel stable chimiquement dans le film de résine résistant thermiquement grâce à un traitement de surface supplémentaire. L'invention concerne en particulier une structure de connexion de circuit (1A) caractérisée en ce qu'un substrat semi-conducteur (2) et un élément de circuit (3) sont collés l'un à l'autre avec un élément de connexion de circuit (4) interposé entre eux. Une première électrode de circuit (6) à la surface du substrat semi-conducteur (2) et une seconde électrode de circuit (7) de l'élément de circuit (3) sont connectées électriquement l'une à l'autre par des particules conductrices (8) dans l'élément de connexion de circuit (4). Le substrat semi-conducteur (2) est modifié en surface par un processus plasma utilisant un gaz à base d'azote contenant de l'azote, de l'ammoniac et similaires. En conséquence, le film de résine résistant thermiquement (5) du substrat semi-conducteur (2) et l'élément de connexion de circuit (4) sont fermement collés l'un à l'autre sur une longue période même dans des conditions de haute température et de forte humidité.
Bibliography:Application Number: WO2006JP316359