METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: ITABASHI, TOSHIAKI, KOJIMA, YASUNORI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 01.03.2007
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device having a heat-resistant resin film, which is heavily used in flip chip connections using a solder bump or a gold bump, and an epoxy resin compound arranged as a layer on the heat-resistant resin film. Particularly disclosed is a surface modification method for semiconductor device production, which enables to improve adhesion after long storage especially under high temperature, high humidity conditions, thereby improving reliability of the semiconductor device. Specifically disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device having a heat-resistant resin film formed on a semiconductor element and an epoxy resin compound layer arranged on the heat-resistant resin film, wherein a surface of the heat-resistant resin film on which the epoxy resin compound layer is to be arranged is subjected to a plasma process using a nitrogen atom-containing gas containing at least one of nitrogen, ammonia and hydrazine. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur ayant un film en résine thermorésistant, lequel est fortement utilisé dans des connexions par bille en utilisant une perle de soudure ou une perle d'or, et un composé en résine époxy disposé sous la forme d'une couche sur le film en résine thermorésistant. La présente invention concerne plus particulièrement un procédé de modification de surface pour la production de dispositif semi-conducteur, qui permet d'améliorer l'adhérence après une longue période de stockage en particulier dans des conditions de température élevée et d'humidité élevée, améliorant de ce fait la fiabilité du dispositif semi-conducteur. La présente invention concerne plus spécifiquement un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur ayant un film en résine thermorésistant formé sur un élément semi-conducteur et une couche d'un composé en résine époxy disposée sur le film en résine thermorésistant, une surface du film en résine thermorésistant sur lequel la couche de composé en résine époxy doit être disposée étant soumise à un procédé de plasma utilisant un gaz contenant des atomes d'azote contenant au moins un composé parmi l'azote, l'ammoniaque et l'hydrazine.