TECHNIQUE FOR FORMING COPPER-CONTAINING LINES EMBEDDED IN A LOW-K DIELECTRIC BY PROVIDING A STIFFENING LAYER
By providing a stiffening layer (105) at three sidewalls (1055) of a trench (104) to be filled with a copper-containing metal, the reduced thermomechanical confinement of a low-k material (102) may be compensated for, at least to a certain degree, thereby reducing electromigration effects and hence...
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Format | Patent |
Language | English French |
Published |
07.12.2006
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Summary: | By providing a stiffening layer (105) at three sidewalls (1055) of a trench (104) to be filled with a copper-containing metal, the reduced thermomechanical confinement of a low-k material (102) may be compensated for, at least to a certain degree, thereby reducing electromigration effects and hence increasing lifetime of sophisticated semiconductor devices having metallization layers including low-k dielectric materials (102) in combination with copper-based metal lines.
La mise en place d'une couche de renforcement (105) au niveau des trois parois latérales (1055) d'une tranchée (104) destinée à être remplie d'un métal contenant du cuivre permet de compenser le confinement thermomécanique réduit d'un matériau à faible constante k, au moins dans une certaine mesure, et par conséquent de réduire les effets de l'électromigration, et ainsi d'augmenter la durée de vie de dispositifs à semi-conducteurs sophistiqués qui comportent des couches de métallisation contenant des matériaux diélectriques à faible constante k (102) en association avec des tracés métalliques à base de cuivre. |
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Bibliography: | Application Number: WO2006US14624 |