TECHNIQUE FOR FORMING COPPER-CONTAINING LINES EMBEDDED IN A LOW-K DIELECTRIC BY PROVIDING A STIFFENING LAYER

• Main Authors: HUEBLER, PETER, KOSCHINSKY, FRANK, FEUSTEL, FRANK
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 07.12.2006
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

By providing a stiffening layer (105) at three sidewalls (1055) of a trench (104) to be filled with a copper-containing metal, the reduced thermomechanical confinement of a low-k material (102) may be compensated for, at least to a certain degree, thereby reducing electromigration effects and hence increasing lifetime of sophisticated semiconductor devices having metallization layers including low-k dielectric materials (102) in combination with copper-based metal lines. La mise en place d'une couche de renforcement (105) au niveau des trois parois latérales (1055) d'une tranchée (104) destinée à être remplie d'un métal contenant du cuivre permet de compenser le confinement thermomécanique réduit d'un matériau à faible constante k, au moins dans une certaine mesure, et par conséquent de réduire les effets de l'électromigration, et ainsi d'augmenter la durée de vie de dispositifs à semi-conducteurs sophistiqués qui comportent des couches de métallisation contenant des matériaux diélectriques à faible constante k (102) en association avec des tracés métalliques à base de cuivre.