ALLNGAP LED HAVING REDUCED TEMPERATURE DEPENDENCE

• Main Authors: STERANKA, FRANK, M, KRAMES, MICHAEL, R, GARDNER, NATHAN, F
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 12.10.2006
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To increase the lattice constant of AlInGaP LED layers to greater than the lattice constant of GaAs for reduced temperature sensitivity, an engineered growth layer is formed over a substrate, where the growth layer has a lattice constant equal to or approximately equal to that of the desired AlInGaP layers. In one embodiment, a graded InGaAs or InGaP layer is grown over a GaAs substrate. The amount of indium is increased during growth of the layer such that the final lattice constant is equal to that of the desired AlInGaP active layer. In another embodiment, a very thin InGaP, InGaAs, or AlInGaP layer is grown on a GaAs substrate, where the InGaP, InGaAs, or AlInGaP layer is strained (compressed). The InGaP, InGaAs, or AlInGaP thin layer is then delaminated from the GaAs and relaxed, causing the lattice constant of the thin layer to increase to the lattice constant of the desired overlying AlInGaP LED layers. The LED layers are then grown over the thin InGaP, InGaAs, or AlInGaP layer. Pour augmenter le pas du réseau de couches DEL AlInGaP à une valeur supérieure à celui de GaAs en vue de réduire la sensibilité à la température, une couche de croissance est formée sur un substrat. Le pas du réseau de cette couche est égal ou approximativement égal à celui des couches AlInGaP voulues. Dans une forme de réalisation, une couche de InGaAs ou de InGaP augmentée progressivement est formée par croissance sur un substrat GaAs. On accroît la quantité d'indium pendant la croissance de la couche, de sorte que le pas final du réseau est égal à celui de la couche active AlInGaP voulue. Dans une autre forme de réalisation, une couche très mince de InGaP, de InGaAs ou de AlInGaP est formée par croissance sur un substrat GaAs, la couche de InGaP, de InGaAs ou de AlInGaP étant soumise à une contrainte (comprimée). La couche mince de InGaP, de InGaAs ou de AlInGaP est ensuite décollée de GaAs et relaxée, ce qui augmente le pas du réseau de la couche mince à une valeur égale à celui des couches DEL AlInGaP sus-jacentes voulues. Les couches DEL sont ensuite formées par croissance sur la couche mince de InGaP, de InGaAs ou de AlInGaP.