NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Authors: ARIMOTO, YOSHIHIRO, MATSUDA, TAKASHI, SAWAKI, IPPEI, MIYASHITA, TSUTOMU, UEDA, MASANORI, SATOH, YOSHIO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 14.09.2006
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a nonvolatile semiconductor storage comprising a capacitor (32) having a first electrode (26) formed on a substrate (10), a single crystal ferroelectric layer (28) formed on the first electrode, and a second electrode (30) formed on the ferroelectric layer. Since an extremely stable single crystal ferroelectric material is used as the material for the ferroelectric layer (28) of the capacitor (32), the capacitor (32) hardly deteriorates even when polarization reversals are repeated. Consequently, there can be obtained a nonvolatile semiconductor storage having a very long life. In addition, an extremely high remanent polarization (Pr) can be obtained since a single crystal ferroelectric material is used as the material for the ferroelectric layer (28) of the capacitor (32). Consequently, a sufficiently large signal can be obtained even when the capacitor (32) is miniaturized, thereby enabling to obtain a nonvolatile semiconductor storage with a high degree of integration. L'invention concerne un dispositif de stockage semi-conducteur non volatil comprenant un condensateur (32) ayant une première électrode (26) formée sur un substrat (10), une couche ferroélectrique monocristalline (28) formée sur la première électrode, et une seconde électrode (30) formée sur la couche ferroélectrique. Comme on utilise un matériau ferroélectrique monocristallin extrêmement stable comme matériau pour la couche ferroélectrique (28) du condensateur (32), le condensateur (32) se détériore à peine même si les inversions de polarisation sont répétées. En conséquence, on peut obtenir un dispositif de stockage semi-conducteur non volatil ayant une très longue durée de vie. En outre, on peut obtenir une polarisation rémanente extrêmement élevée (Pr) dans la mesure où l'on utilise un matériau ferroélectrique monocristallin comme matériau pour la couche ferroélectrique (28) du condensateur (32). En conséquence, on peut obtenir un signal suffisamment grand même si le condensateur (32) est miniaturisé, permettant ainsi de produire un dispositif de stockage semi-conducteur non volatil avec un degré élevé d'intégration.