LASER DIODE IMPROVED IN HEAT-DISSIPATING STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREFOR

A laser diode has an electrode structure increasing a contact area with a heat sink, and includes an active layer for converting an injected current into light, and p-type and n-type electrodes for injecting current to the active layer. An uneven structure is repeatedly formed in the p-type or n-typ...

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Main Authors RYU, HAN-GWON, HUH, KWANG-SOO, KOO, BON-JO
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 31.08.2006
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Summary:A laser diode has an electrode structure increasing a contact area with a heat sink, and includes an active layer for converting an injected current into light, and p-type and n-type electrodes for injecting current to the active layer. An uneven structure is repeatedly formed in the p-type or n-type electrode to which a heat sink is attached during a packaging process. In a laser diode fabricating method, the electrode forming process includes depositing a mask layer on a substrate on which the p-type or n-type electrode is formed; forming a mask by eliminating a deposition film of the mask layer in a pattern by using photolithography and BOE etching processes; forming an uneven structure on a substrate surface by etching an exposed portion through the mask; removing the mask; and depositing electrode material on the uneven structure to form an electrode having an uneven structure. La présente invention a trait à une diode laser comportant une structure d'électrodes accroissant la surface de contact avec un puits thermique, et comportant une couche active pour la conversion d'un courant injecté en lumière, et des électrodes de type p et de type n pour l'injection de courant dans la couche active. Une structure irrégulière est formée à répétition dans l'électrode de type p ou de type n à laquelle le puits thermique est fixé lors d'un procédé d'encapsulation. L'invention a également trait à un procédé de fabrication d'une diode laser dans laquelle le procédé de formation d'électrodes comprend le dépôt d'une couche de masque sur un substrat sur lequel est formée l'électrode de type p ou de type n; la formation d'un masque par l'élimination d'un film de dépôt de la couche de masque en un motif à l'aide de procédés de photolithographie et de gravure de type BOE; la formation d'une structure irrégulière à la surface d'un substrat par la gravure d'une portion exposée à travers le masque; l'élimination du masque; et le dépôt de matériau d'électrode sur la structure irrégulière pour former une électrode ayant une structure irrégulière.
Bibliography:Application Number: WO2006KR00506