PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE

• Main Authors: HORITA, HIDEKI, TOYODA, KAZUYUKI, ASAI, MASAYUKI, SAKAI, MASANORI, MIYA, HIRONOBU, SATO, TAKETOSHI, OKUDA, KAZUYUKI, MIZUNO, NORIKAZU
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 24.08.2006
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A production method for a semiconductor device comprising the first step of supplying a first reaction material to a substrate housed in a processing chamber to subject to a ligand substitution reaction a ligand as a reaction site existing on the surface of the substrate and the ligand of the first reaction material, the second step of removing the excessive first reaction material from the processing chamber, the third step of supplying a second reaction material to the substrate to subject a ligand substituted by the first step to a ligand substitution reaction with respect to a reaction site, the fourth step of removing the excessive second reaction material from the processing chamber, and a fifth step of supplying a third reaction material excited by plasma to the substrate to subject a ligand, not subjected to a substitution reaction with respect to a reaction site in the third step, to a ligand substitution reaction with respect to a reaction site, wherein the steps 1-5 are repeated a specified number of times until a film of a desired thickness is formed on the substrate surface. La présente invention décrit un procédé de fabrication pour fabriquer un dispositif semi-conducteur comportant une première étape d'apport d'un premier matériau de réaction à un substrat logé dans une chambre de traitement destinée à soumettre un liant à une réaction de substitution de liant, en tant que site de réaction existant sur la surface du substrat, et à y soumettre également le liant du premier matériau de réaction. La deuxième étape consiste à retirer le surplus du premier matériau de réaction de la chambre de traitement. La troisième consiste à apporter un deuxième matériau de réaction au substrat pour soumettre un liant substitué par la première étape à une réaction de substitution de liant relativement à un site de réaction. La quatrième étape consiste à retirer le surplus du deuxième matériau de réaction de la chambre de traitement. Enfin, la cinquième étape consiste à apporter un troisième matériau de réaction excité par du plasma au substrat pour soumettre un liant, qui n'a pas été soumis à la réaction de substitution relativement à un site de réaction à la troisième étape, à une réaction de substitution de liant relativement à un site de réaction. Les étapes 1 à 5 sont répétées un nombre spécifié de fois, jusqu'à ce qu'un film d'une épaisseur souhaitée soit formé sur la surface du substrat.