N2-BASED PLASMA TREATMENT FOR POROUS LOW-K DIELECTRIC FILMS
A semiconductor device is fabricated by forming a low-k dielectric material (20) over a substrate (10), depositing a liner (65) on a portion of the low-k dielectric material, and exposing the liner to a plasma (70). A barrier layer may be deposited over the liner. On fabrique un dispositif en semi-c...
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Format | Patent |
Language | English French |
Published |
10.08.2006
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Summary: | A semiconductor device is fabricated by forming a low-k dielectric material (20) over a substrate (10), depositing a liner (65) on a portion of the low-k dielectric material, and exposing the liner to a plasma (70). A barrier layer may be deposited over the liner.
On fabrique un dispositif en semi-conducteur en formant une matière diélectrique à faible constante diélectrique (20) sur un substrat (10), en déposant une chemise (65) sur une partie de la matière à faible constante diélectrique et en exposant la chemise à un plasma (70). On peut déposer une couche barrière sur la chemise. |
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Bibliography: | Application Number: WO2006US03231 |