N2-BASED PLASMA TREATMENT FOR POROUS LOW-K DIELECTRIC FILMS

A semiconductor device is fabricated by forming a low-k dielectric material (20) over a substrate (10), depositing a liner (65) on a portion of the low-k dielectric material, and exposing the liner to a plasma (70). A barrier layer may be deposited over the liner. On fabrique un dispositif en semi-c...

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Main Authors SMITH, PATRICIA, BEAUREGARD, JIN, CHANGMING, AJMERA, SAMEER, KUMAR
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 10.08.2006
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:A semiconductor device is fabricated by forming a low-k dielectric material (20) over a substrate (10), depositing a liner (65) on a portion of the low-k dielectric material, and exposing the liner to a plasma (70). A barrier layer may be deposited over the liner. On fabrique un dispositif en semi-conducteur en formant une matière diélectrique à faible constante diélectrique (20) sur un substrat (10), en déposant une chemise (65) sur une partie de la matière à faible constante diélectrique et en exposant la chemise à un plasma (70). On peut déposer une couche barrière sur la chemise.
Bibliography:Application Number: WO2006US03231