SEMICONDUCTOR WAFER BOAT FOR A VERTICAL FURNACE

• Main Authors: GILMORE, BRIAN, LAWRENCE, SHIVE, LARRY, WAYNE, GUPTA, PUNEET
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 14.09.2006
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; CRYSTAL GROWTH; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

A wafer boat (1) for use in heat treatment of semiconductor wafers in a vertical furnace comprises support rods (3) extending generally vertically when the wafer boat is placed in the vertical furnace. Fingers (13) are supported by and extend along vertical extent of the support rods. Wafer holder platforms are adapted to be supported by groups of fingers lying in generally different common horizontal planes. The fingers are adapted to underlie the wafer holder platforms and support the platforms at the support locations. The fingers and wafer holder platforms each have a respective first overall maximum thickness. The support location of at least one of the fingers and the wafer holder platforms have a second maximum thickness less than the first overall maximum thickness. La présente invention concerne une nacelle à tranches de semi-conducteur à utiliser dans le traitement thermique de tranches de semi-conducteur dans un four vertical, ladite nacelle comprenant des tiges de support qui s'étendent généralement verticalement lorsque la nacelle à tranches de semi-conducteur est placée dans le four vertical. Des pointes sont supportées par les tiges de support et s'étendent sur leur partie verticale. Des plates-formes de réception de tranches de semi-conducteur sont conçues pour être supportées par des groupes de pointes qui s'étendent dans des plans horizontaux communs généralement différents. Les pointes sont conçues pour se trouver en-dessous des plates-formes de réception de tranches de semi-conducteur, et supportent les plates-formes en des emplacements de support. Les pointes et les plates-formes de réception de tranches de semi-conducteur, ont chacune respectivement une première épaisseur maximale globale. L'emplacement de support d'au moins l'une des pointes et les plates-formes de réception de tranches de semi-conducteur ont une seconde épaisseur maximale inférieure à la première épaisseur maximale globale.