MAGNESIUM OXIDE SINGLE CRYSTAL VAPOR DEPOSITION MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME

• Main Authors: KAWAGUCHI, YOSHIFUMI, TOUTSUKA, ATSUO, KUNISHIGE, MASAAKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 03.08.2006
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; CRYSTAL GROWTH; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

This invention provides a single crystal MgO vapor deposition material for use as a target material for forming an MgO film on a substrate by a vacuum vapor deposition method such as an electron beam vapor deposition method. This vapor deposition material does not reduce a film formation speed during vapor deposition and, at the same time, can prevent the occurrence of splash, and has excellent film properties, for example, can improve, for example, discharge characteristics when used as a protective film for PDP. A magnesium oxide single crystal vapor deposition material is also provided in which the half value width of a rocking curve on a magnesium oxide (200) face is 0.005 to 0.025 degree. There is also provided a process for producing a magnesium oxide single crystal vapor deposition material comprising the step of disintegrating a magnesium oxide single crystal. In the disintegration step, a blade-type impactor is allowed to collide at an angle of -5 to +5 degrees to magnesium oxide (100) face orientation for cleavage. La présente invention concerne un matériau de déposition en phase gazeuse MgO à simple cristal devant servir de matériau cible pour former un film MgO sur un substrat par un procédé de déposition en phase gazeuse sous vide comme un procédé de déposition en phase gazeuse à faisceau électronique. Ce matériau de déposition en phase gazeuse ne réduit pas une vitesse de formation de film pendant la déposition en phase gazeuse et, dans le même temps, peut empêcher l'apparition de projections, avec d'excellentes propriétés de film, par exemple, des caractéristiques de décharge améliorées en cas d'utilisation comme film de protection pour PDP. L'invention porte également sur un matériau de déposition en phase gazeuse à simple cristal et oxyde de magnésium dans lequel la demie largeur de valeur d'une courbe d'oscillation sur une face d'oxyde de magnésium (200) est comprise entre 0,005 et 0,025 degré. Elle concerne aussi un procédé de fabrication d'un matériau de déposition en phase gazeuse à simple cristal et oxyde de magnésium comprenant la phase de désintégration d'un oxyde de magnésium à simple cristal. Dans la phase de désintégration, un impacteur à lame peut entrer en collision à un angle de -5 à +5 degrés par rapport à l'orientation de face d'oxyde de magnésium (100) à des fins de clivage.