MICRO-FEATURE FILL PROCESS AND APPARATUS USING HEXACHLORODISILANE OR OTHER CHLORINE-CONTAINING SILICON PRECURSOR

• Main Authors: OH, SEUNGHO, LEITH, ALLEN, DIP, ANTHONY
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 27.07.2006
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A method is provided for depositing a silicon-containing film in a micro-feature on a substrate by a low pressure deposition process in a processing system. A silicon-containing film can be formed in a micro-feature by providing a substrate in a process chamber of a processing system, and exposing a hexachiorodisilane (HCD) process gas to the substrate. A processing tool containing a processing system for forming a silicon-containing film in a micro-feature using a silicon and chlorine-containing gas such as a HCD process gas is provided. Alternatively, the micro-feature can be exposed to DCS, SiCl4, and SiHCI3 gases. Alternatively, the micro-feature can be exposed to (SiH4 +HCI). La présente invention concerne le dépôt d'un film contenant du silicium dans un micro-élément sur un substrat par un processus de dépôt à faible pression dans un système de traitement. Un film contenant du silicium peut être formé dans un micro-élément par la fourniture d'un substrat dans une chambre de traitement d'un système de traitement et par l'exposition de ce substrat à un gaz de processus hexachiorodisilane (HCD). Cette invention concerne aussi un outil de traitement contenant un système de traitement destiné à former un film contenant du silicium dans un micro-élément au moyen de silicium et d'un gaz contenant du chlorure tel qu'un gaz de processus HCD. Dans une variante, le micro élément peut être exposé à des gaz DCS, SiCl4, et SiHCI3. Dans une autre variante, le micro-éléments peut être exposé à (SiH4 +HCI).