DOSE RATE SIMULATION

• Main Authors: VOGT, ERIC, E, LIU, HARRY, H., L, LIU, MICHAEL, S, GOLKE, KEITH, W
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 13.07.2006
• Subjects: CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; PHYSICS

Behaviors of a transistor during a dose rate event can be modeled using a circuit simulation software package. A subcircuit model replaces a transistor in a circuit design to be simulate. The subcircuit model replaces a transistor in a circuit design to be simulated. The subcircuit model can be in the form of a schematic-based representation or a netlist. The subcircuit model provides a model of a source junction and a drain junction in the transistor during the dose rate event. The subcircuit model also includes the size of the transistor being replaced and the dose rate of the dose rate event. Once the transistor is replaced with the subcircuit model, a dose rate simulation may be performed to determined the dose rate hardness of the circuit design. La modélisation des comportements d'un transistor lors d'un événement de débit de dose est possible grâce à un progiciel de simulation de circuit. Un modèle de sous-circuit remplace un transistor dans un modèle de circuit à simuler. Le modèle de sous-circuit peut se présenter sous la forme d'une représentation à base schématique ou d'une interconnexion. Le modèle de sous-circuit fournit une jonction de source et une jonction de drain dans le transistor lors de l'événement de débit de dose. Le modèle de sous-circuit comprend également la taille du transistor en cours de remplacement et le débit de dose de l'événement de débit de dose. Après le remplacement du transistor par le modèle de sous-circuit, on peut réaliser une simulation de débit de dose en vue de déterminer la dureté de débit de dose du modèle de circuit.