DIRECT IMPRINTING OF ETCH BARRIERS USING STEP AND FLASH IMPRINT LITHOGRAPHY

• Main Authors: LE, NGOC, V, DAUKSHER, WILLIAM, J, GEHOSKI, KATHY, A, RESNICK, DOUGLAS, J
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 03.08.2006
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES; MATERIALS THEREFOR; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; ORIGINALS THEREFOR; PERFORMING OPERATIONS; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; TRANSPORTING

A direct imprinting process for Step and Flash Imprint Lithography includes providing (40) a substrate (12); forming (44) an etch barrier layer (14) on the substrate; patterning (46) the etch barrier layer with a template (16) while curing with ultraviolet light through the template, resulting in a patterned etch barrier layer and a residual layer (20) on the substrate; and performing (48) an etch to substantially remove the residual layer. Optionally, a patterning layer (52) may be formed on the substrate (12) prior to forming the etch barrier layer (14). Additionally, an adhesive layer (13) may be applied (42) between the substrate (12) and the etch barrier layer (14). L'invention concerne un procédé d'impression directe pour la lithographie par impression "step and flash". Ledit procédé consiste à fournir (40) un substrat (12) ; à former (44) une couche d'arrêt d'attaque chimique (14) sur le substrat ; à former des motifs (46) sur la couche d'arrêt d'attaque chimique à l'aide d'un modèle (16) tout en la faisant durcir à l'aide d'un rayonnement ultraviolet à travers le modèle, ce qui entraîne une couche d'arrêt d'attaque chimique présentant des motifs et une couche résiduelle (20) sur le substrat ; et à mettre en oeuvre (48) une attaque chimique afin d'éliminer sensiblement la couche résiduelle. Eventuellement, une couche de formation de motifs (52) peut être formée sur le substrat (12) préalablement à la formation de la couche d'arrêt d'attaque chimique (14). De plus, une couche adhésive (13) peut être appliquée (42) entre le substrat (12) et la couche d'arrêt d'attaque chimique (14).