WIRING/ELECTRODE AND SPUTTERING TARGET

• Main Authors: YATSUNAMI, SHUNSUKE, INASE, TOSHIO, KAWABATA, TAKAHIRO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 01.06.2006
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Wiring/electrode being low in resistivity and suitable for higher density of an electronic device, especially for making larger and finer a flat display element such as a liquid crystal display, and a sputtering target being high in discharge stability and used for the production thereof. Wiring/electrode is formed by an Al-based alloy thin film containing in Al less than 0.5 at.% in total of at least one kind of metal selected from a group III in the periodic table and containing up to 100ppm of oxygen. Accordingly, wiring/electrode is obtained which has electric resistivity as low as that of a pure Al thin film produced under the same conditions and is high in hillock resistance. Wiring/electrode further lower in resistivity and higher in hillock resistance is obtained by improving the orientation of (111) plane oriented in parallel to a substrate surface. Such wiring/electrode is obtained by forming a thin film by a sputtering method that uses a sputtering target consisting of Al-based alloy containing less than 0.5 at.% in total of at least one kind of metal selected from a group III in the periodic table and containing up to 100ppm of oxygen, and then heat-treating it at temperatures of at least 150?C. L'invention concerne un câblage/une électrode de faible résistivité et convenant à une densité supérieure d'un dispositif électronique, surtout pour rendre un élément d'affichage plat plus grand et plus fin comme un affichage à cristaux liquides, et une cible de pulvérisation cathodique de forte stabilité de décharge et servant à la fabrication de celui-ci/celle-ci. On forme un câblage/une électrode avec un film mince d'alliage à base d'aluminium contenant dans l'aluminium mains de 0,5 % at. au total d'au moins un type de métal sélectionné parmi un groupe III dans le tableau périodique et contenant jusqu'à 100ppm d'oxygène. En conséquence, on obtient un câblage/une électrode d'une résistivité électrique aussi faible que celle d'un film mince en aluminium pur produit dans les mêmes conditions et de forte résistance de tertre. On obtient un câblage/une électrode de plus faible résistivité et de plus forte résistance de tertre en améliorant l'orientation du plan (111) orienté parallèle à une surface de substrat. On obtient un tel câblage/une telle électrode en formant un mince film selon un procédé de pulvérisation cathodique utilisant une cible de pulvérisation cathodique consistant en un alliage à base d'aluminium d'une teneur en aluminium contenant dans l'à 0,5 % at. au total d'au moins un type de métal sélectionné parmi un groupe III dans le tableau périodique et contenant jusqu'à 100ppm d'oxygène, avant traitement thermique moins de à 150°C au moins.