FIBER SOI SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

• Main Authors: SUZUKI, KENKICHI, FUYUKI, TAKASHI, KOAIZAWA, HISASHI, TODA, SADAYUKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 04.05.2006
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is an SOI substrate which enables to form a composite device of an MOS integrated circuit and a passive device, while contributing to reduce the size and production cost of a semiconductor device. Specifically disclosed is an SOI substrate (5) having a fiber (1) having a polygonal cross section and a semiconductor thin film (3) which is formed on at least one surface of the fiber (1) and then crystallized thereon. The surface of the fiber (1) is provided with a plurality of grooves (8) extending in the longitudinal direction of the fiber (1) with intervals in transverse direction. La présente invention décrit un substrat de silicium sur isolant qui permet de former un dispositif composite constitué d'un circuit intégré MOS et d'un dispositif passif, tout en contribuant à réduire la dimension et le coût de production d'un dispositif semi-conducteur. La présente invention décrit spécifiquement un substrat de silicium sur isolant (5) ayant une fibre (1) présentant une section de coupe transversale polygonale et un film mince semi-conducteur (3) qui est formé sur au moins une surface de la fibre (1), et ensuite cristallisée sur celle-ci. La surface de la fibre (1) possède une pluralité de rainures (8) s'étendant dans le sens longitudinal de la fibre (1) avec des intervalles dans le sens transversal.