HIGH-MOBILITY BULK SILICON PFET

• Main Authors: LANZEROTTI, LOUIS, D, NOWAK, EDWARD J, ANDERSON, BRENT, A
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 30.03.2006
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

A field effect transistor (100) and method of fabricating the field effect transistor. The field effect transistor, including: a gate electrode (165) formed on a top surface (170) of a gate dielectric layer (155), the gate dielectric layer on a top surface (160) of a single-crystal silicon channel region (110), the single-crystal silicon channel region on a top surface of a Ge including layer (135), the Ge including layer on a top surface of a single-crystal silicon substrate (150), the Ge including layer between a first dielectric layer (215A) and a second dielectric layer (215B) on the top surface of the single-crystal silicon substrate. L'invention concerne un transistor à effet de champ (100) et un procédé de fabrication de celui-ci, lequel comprend: une électrode de grille (165) formée sur une surface supérieure (170) d'une couche diélectrique de grille (155) placée sur une surface supérieure (160) d'une région à canaux de silicium monocristallin (110) située sur une surface supérieure d'une couche renfermant du Ge (135), laquelle est placée sur une surface supérieure d'un substrat en silicium monocristallin (150), la couche renfermant du Ge se trouvant entre une première couche diélectrique (215A) et une seconde couche diélectrique (215B) sur la surface supérieure du substrat en silicium monocristallin.