SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND TREATMENT LIQUID

• Main Authors: TAKAGI, DAISUKE, WANG, XINMING, TASHIRO, AKIHIKO, FUKUNAGA, AKIRA, OWATARI, AKIRA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 30.03.2006
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A semiconductor device is provided with a wiring wherein an alloy film having a required minimum thickness and diffusion preventing effects to, for instance, oxygen and copper, is formed more uniformly in thickness entirely over a board and protected, while reducing dependence on a wiring pattern. In the semiconductor device, at least at one portion on the circumference of the embedded wiring formed by embedding a wiring material in a wiring recessed part formed in an insulator on the board, the alloy film containing a tungsten or molybdenum of 1-9 atomic % and a phosphorous or boron of 3-12 atomic % is formed by electroless plating. L'invention porte sur un dispositif semi-conducteur avec un câblage où l'on forme un film allié d'une épaisseur minimale requise et ayant des effets de prévention de diffusion vers, par exemple, l'oxygène et le cuivre, de manière plus uniforme au niveau de l'épaisseur intégralement sur une carte et protégé, tout en réduisant la dépendance à un motif de câblage. Dans le dispositif semi-conducteur, au moins en une portion de la circonférence du câblage noyé formé par incrustation d'un matériau de câblage dans une partie rétreinte de câblage constituée dans un isolant sur la carte, le film allié contenant du tungstène ou du molybdène à hauteur de 1 à 9 % atomique et du phosphore ou du bore à hauteur de 3 à 12 % atomique est formé par placage autocatalytique.