RINSING LIQUID FOR LITHOGRAPHY AND METHOD FOR RESIST PATTERN FORMATION

• Main Authors: WAKIYA, KAZUMASA, KOSHIYAMA, JUN, SAWADA, YOSHIHIRO, MIYAMOTO, ATSUSHI, TAJIMA, HIDEKAZU
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 09.03.2006
• Edition: 7

This invention provides a novel rinsing liquid for lithography, which, for a photoresist pattern, can reduce surface defects, the so-called defects, without sacrificing the quality of the product, and, at the same time, can impart resistance to electron beam irradiation to suppress the shrinkage of the resist pattern, and a method for resist pattern formation using the same. A resist pattern is formed by preparing a rinsing liquid for lithography comprising an aqueous solution containing (A) a water-soluble and/or alkali-soluble polymer having a nitrogen atom in its molecular structure and (B) at least one member selected from aliphatic alcohols and alkyletherification products thereof, and then carrying out (1) the step of providing a photoresist film on a substrate, (2) the step of selectively exposing the photoresist film through a mask pattern, (3) the step of heat-treating the exposed photoresist film, (4) the step of carrying out alkali development, and (5) the step of treating the developed film with the rinsing liquid for lithography. La présente invention concerne un nouveau liquide de rinçage pour lithographie qui, pour un motif photorésistant, peut réduire les défauts superficiels et les prétendus défauts sans sacrifier la qualité du produit, et qui peut, dans le même temps, conférer une résistance à une irradiation par faisceau d'électrons pour supprimer la contraction du motif résistant, ainsi qu'un procédé de formation d'un motif résistant utilisant ledit liquide. Un motif résistant est formé en préparant un liquide de rinçage pour lithographie comprenant une solution aqueuse contenant (A) un polymère hydrosoluble et/ou alcalino-soluble dont la structure moléculaire comporte un atome d'azote, et (B) au moins un élément sélectionné parmi les alcools aliphatiques et leurs produits d'alkyléthérification, puis en réalisant (1) l'étape consistant à fournir un film photorésistant sur un substrat, (2) l'étape consistant à exposer de façon sélective le film photorésistant par l'intermédiaire d'un motif de masque, (3) l'étape consistant à traiter thermiquement le film photorésistant exposé, (4) l'étape consistant à réaliser une révélation alcaline, et (5) l'étape consistant à traiter le film révélé avec le liquide de rinçage pour lithographie.