CONTACTING AND FILLING DEEP-TRENCH-ISOLATION WITH TUNGSTEN

• Main Authors: DEIXLER, PETER, VAN NOORT, WIBO DANIEL
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 09.03.2006
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Electrically isolated, deep trench isolation (DTI) structures, are formed in a wafer, and a portion of the DTI structures are converted to electrically connected structures to provide a shielding function, or to provide connection to deep buried layers. In one aspect, DTI structures include a polysilicon filling over a liner layer disposed on the inner surface of a deep trench, the polysilicon is removed by isotropic etching, and the deep trench is re-filled with a conductive material. Alternatively, the polysilicon filling remains and a contact is formed to provide an electrical connection to the polysilicon. In another aspect, a deep trench is disposed in the wafer such that a lower portion thereof is located within a deep buried layer, and after the polysilicon is removed, an anisotropic etch removes a portion of the deep trench liner from the bottom of the deep trench, thereby allowing a tungsten deposition to make electrical contact with the deep buried layer. Les structures d'isolation par tranchée profonde (DTI), isolées électriquement, sont formées dans une plaquette, et une partie de ces structures DTI sont transformées en structures connectées électriquement afin de fournir une fonction de blindage, ou pour assurer la connexion avec des couches enfouies en profondeur. Dans un mode de réalisation, les structures DTI incluent un agent de remplissage à base de polysilicium sur une couche de revêtement disposée sur la surface interne d'une tranchée profonde, le polysilicium est retiré par gravure isotrope, et la tranchée profonde est à nouveau remplie avec une matière conductrice. Il est également possible que l'agent de remplissage à base de polysilicium reste et qu'un contact soit formé de manière à fournir une connexion électrique avec le polysilicium. Dans un autre mode de réalisation, une tranchée profonde est disposée dans la plaquette de sorte qu'une partie inférieure de celle-ci soit située à l'intérieur d'une couche enfouie en profondeur, et après le retrait du polysilicium, une gravure anisotrope permet le retrait d'une partie du revêtement de la tranchée profonde du fond de cette tranchée profonde, ceci permettant un dépôt de tungstène pour assurer le contact électrique avec la couche enfouie en profondeur.