PROCESS FOR PRODUCING IC CHIP

• Main Authors: HATAI, MUNEHIRO, FUKUOKA, MASATERU, DANJO, SHIGERU, SUGITA, DAIHEI, KITAJIMA, YOSHIKAZU, SHIMOMURA, KAZUHIRO, HAYASHI, SATOSHI, OYAMA, YASUHIKO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 09.02.2006
• Edition: 7
• Subjects: ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; ADHESIVES; CHEMISTRY; DYES; METALLURGY; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS; NATURAL RESINS; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; PAINTS; POLISHES; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES

A process for producing an IC chip as thin as 50 µm or less, such as an IC chip having a thickness of 25-30 µm, with high productivity. The process for producing an IC chip comprises a step 1 for fixing a wafer to a supporting plate by bonding a surface of a double-sided adhesive tape containing a gas generating agent to the wafer, which double-sided adhesive tape contains the gas generating agent that generates a gas when irradiated with light in at least one adhesive layer on either side, a step 2 for grinding the wafer while keeping it secured to the supporting plate through the double-sided adhesive tape, a step 3 for irradiating the double-sided adhesive tape with light, and a step 4 for separating the double-sided adhesive tape from the wafer. In this process, the gas discharge rate from the double-sided adhesive tape in the step 3 is not less than 5µL/cm<sup Processus pour produire une puce de circuit intégré aussi fine que 50 mm ou moins, telle qu'une puce de circuit intégré ayant une épaisseur de 25-30 mm, avec une productivité élevée. Le processus de production d'une puce de circuit intégré comprend une étape 1 pour fixer une tranche à une plaque de support en collant une surface de ruban adhésif double-face contenant un agent générateur de gaz à la tranche, lequel ruban adhésif double-face contient l'agent générateur de gaz qui génère un gaz lorsque irradié avec de la lumière sur au moins l'une des couches adhésives d'un des côtés, une étape 2 pour polir la tranche tout en la maintenant attachée à la plaque de support par le ruban adhésif double-face, une étape 3 pour irradier le ruban adhésif double-face avec de la lumière, et une étape 4 pour séparer le ruban adhésif double-face de la tranche. Dans ce processus, le débit de décharge de gaz du ruban adhésif double-face de l'étape 3 n'est pas inférieur à 5mL/cm<sup