REDUCING PLASMA IGNITION PRESSURE

• Main Authors: LYNDAKER, BRADFORD, J, WIEPKING, MARK, KUTHI, ANDRAS, FISCHER, ANDREAS
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 06.07.2006
• Subjects: CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; PERFORMING OPERATIONS; SOLDERING OR UNSOLDERING; TRANSPORTING; WELDING; WORKING BY LASER BEAM

A method in a plasma processing system for processing a semiconductor substrate is disclosed. The plasma processing system includes a plasma processing chamber and an electrostatic chuck coupled to a bias compensation circuit. The method includes igniting a plasma in a plasma ignition step. Plasma ignition step is performed while a first bias compensation voltage provided by the bias compensation circuit to the chuck is substantially zero and while a first chamber pressure within the plasma processing chamber is below about 90 mTorr. The method further includes processing the substrate in a substrate-processing step after the plasma is ignited. The substrate-processing step employs a second bias compensation voltage provided by the bias compensation circuit that is higher than the first bias compensation voltage and a second chamber pressure substantially equal to the first chamber pressure. La présente invention a trait à un procédé dans un système de traitement au plasma pour le traitement d'un substrat semi-conducteur. Le système de traitement au plasma comporte une chambre de traitement au plasma et un support de tranche électrostatique couplé à un circuit de compensation de polarisation. Le procédé comprend l'allumage d'un plasma dans une étape d'allumage de plasma. L'étape d'allumage de plasma est réalisée lorsque la fourniture d'une première tension de compensation de polarisation par le circuit de compensation de polarisation au support de tranche est sensiblement nulle et lorsqu'une première pression de chambre au sein de la chambre de traitement au plasma se trouve en-dessous d'environ 90mTorr. Le procédé comprend également le traitement du substrat dans une étape de traitement de substrat suite à l'allumage du plasma. L'étape de traitement de substrat utilise une deuxième tension de compensation de polarisation supérieure à la première tension de compensation de polarisation et une deuxième pression de chambre sensiblement égale à la première pression de chambre.