IMPROVED DUAL DAMASCENE INTEGRATION STRUCTURES AND METHOD OF FORMING IMPROVED DUAL DAMASCENE INTEGRATION STRUCTURES

• Main Authors: HAUTALA, JOHN, J, GEFFKEN, ROBERT, M
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 22.12.2005
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Methods for forming a dual damascene dielectric structure in a porous ultra-low-k (ULK) dielectric material by using gas-cluster ion-beam processing are disclosed. These methods minimize hard-mask layers during dual damascene ULK processing and eliminate hard-masks in the final ULK dual damascene structure. Methods for gas-cluster ion-beam etching, densification, pore sealing and ashing are described that allow simultaneous removal of material and densification of the ULK interfaces. A novel ULK dual damascene structure is disclosed with densified interfaces and no hard-masks. L'invention concerne des procédés permettant de former une structure diélectrique double en damascène dans une matière poreuse à diélectrique k ultra faible au moyen d'un traitement par faisceau ionique d'agrégat gazeux. Ces procédés permettent de minimiser des couches de masque dur pendant le traitement à diélectrique k ultra faible et d'éliminer des masques durs dans la structure finale double en damascène à diélectrique k ultra faible. Cette invention a aussi pour objet des procédés de gravure ionique d'agrégat gazeux, de densification, de scellement poreux et d'incinération qui permettent simultanément l'élimination de la matière et la densification des interfaces à diélectrique k ultra faible. Ladite invention a enfin trait à une structure double en damascène à diélectrique k ultra faible qui possède des interfaces densifiées et pas masque dur.