NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT

• Main Authors: YAMADA, TOMOO, OUCHI, YOICHIRO, KUDO, HIROMITSU, OKAGAWA, HIROAKI, TADATOMO, KAZUYUKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.11.2005
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

In a GaN-based light emitting element using Mg as a p-type impurity of a p-type layer, a p-type clad layer (31) composed of AlxGa1-xN (0<=x<=1) is provided at the lowermost part of the p-type layer, an Mg high concentration layer (33) composed of AlyGa1-yN (0<=y<=1) is provided on an upper part of the clad layer through at least one hetero interface, and directly above the Mg high concentration layer, a p-type contact layer (34) composed of AlzGa1-zN (y<z<=1) is provided. The p-type contact layer has a layer thickness of 10nm or less and an Mg concentration (a) of 5x10 cm<-3><=(a), the Mg high concentration layer has a film thickness of 5nm-20nm and an Mg concentration (b) of 2x10 cm<-3><(b), and a layer between the Mg high concentration layer and a light emitting layer has an Mg concentration (c) of 1x10 cm<-3><=(c)<(b). An Mg concentration average of the p-type layers excluding the p-type contact layer is less than 5x10 cm<-3>. Light absorption due to Mg can be reduced, while suppressing an increase of an operating voltage, by reducing the total quantity of Mg added to the p-type layer, while maintaining the high Mg concentration of a front layer of the p-type contact layer. Dans un élément luminescent à base GaN utilisant du Mg comme impureté de type p d'une couche de type p, une couche de revêtement de type p (31) composé de AlxGa1-xN (0<=x<=1) est prévue à la partie la plus basse de la couche de type p, une couche de concentration élevée de Mg (33) composée d'un AlyGa1-yN (0<=y<=1) est prévue sur une partie supérieure de la couche de revêtement par le biais d'au moins une interface avec celle-ci, et juste au-dessus de la couche de concentration élevée Mg, une couche de contact de type p (34) composée de AlzGa1-zN (y<z<=1) est prévue. La couche de contact de type p a une épaisseur de couche inférieure ou égale à 10 nm et une concentration de Mg (a) de 5x10 cm<-3><=(a), la couche de concentration élevée de Mg a une épaisseur de film comprise entre 5 nm et 20 nm et une concentration de Mg (b) de 2x10 cm<-3><(b), et une couche située entre la couche de concentration élevée de Mg et une couche luminescent a une concentration de Mg (c) de 1x10 cm<-3><=(c)<(b). Une concentration moyenne de Mg des couches de type p à l'exclusion de la couche de contact de type p est inférieure à 5x10 cm<-3>. L'absorption de lumière causée par Mg peut être réduite, tout en supprimant une augmentation d'une tension d'exploitation, en réduisant la quantité totale de Mg ajoutée à la couche de type p, tout en maintenant la concentration élevée de Mg d'une couche avant de la couche de contact de type p.