SURFACE-EMITTING LASER AND ITS DRIVING METHOD

• Main Authors: ANAN, TAKAYOSHI, KOBAYASHI, KOHROH, NIDO, MASAAKI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 13.10.2005
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

A surface-emitting laser requiring no laser driver IC and modulated at lower voltage directly with the differential voltage output of the I/O port of a digital LSI. The surface-emitting laser comprises a laser resonator having a certain intensity distribution in the layer thickness direction. The laser resonator has a layer structure in which an active layer (6), a contact layer (8), a high-resistance layer (9) with a refractive index lower than that of the active layer (4) by a value in a predetermined range, a contact layer (10), and a light absorption modulating layer (12) having a light absorption coefficient to the laser beam oscillating in the layer thickness direction variable depending on the applied voltage are sequentially formed. The layer structure has an effective length 3/2 or 2 times the wavelength of the laser beam. The active layer (6) is isolated DC-electrically from the light absorption modulation layer (12) by the high-resistance layer (11). The active layer (6) and the light absorption modulation layer (12) are disposed near different peak positions of the light intensity distribution, respectively. The contact layers (8, 11) are disposed near different valley positions of the light intensity distribution, respectively. Il est prévu un laser émettant en surface n'exigeant pas de CI d'excitateur laser et modulé à basse tension directement avec la sortie de tension différentielle du port E/S d'un LSI numérique. Le laser émettant en surface comprend un résonateur laser ayant une certaine répartition d'intensité dans la direction d'épaisseur de la couche. Le résonateur laser a une structure en couches dans laquelle sont formées de façon séquentielle une couche active (6), une couche de contact (8), une couche haute résistance (9) avec un indice de réfraction inférieur à celui de la couche active (4) d'une valeur dans une fourchette prédéterminée, une couche de contact (10), et une couche de modulation d'absorption de lumière (12) ayant un coefficient d'absorption de lumière vers le faisceau laser oscillant dans la direction d'épaisseur de couche variable en fonction de la tension appliquée. La structure en couche a une longueur effective de 3/2 ou du double de la longueur d'onde du faisceau laser. La couche active (6) est isolée électriquement CC de la couche de modulation d'absorption de lumière (12) par la couche haute résistance (11). La couche active (6) et la couche de modulation d'absorption de lumière (12) sont disposées à proximité de positions de crête différentes de la répartition d'intensité de lumière, respectivement. Les couches de contact (8, 11) sont disposées à proximité de positions de creux différentes de la répartition d'intensité de lumière, respectivement.