CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF HIGH CONDUCTIVITY, ADHERENT THIN FILMS OF RUTHENIUM

• Main Authors: BILODEAU, STEVEN, M, XU, CHONGYING, BAUM, THOMAS, H, WELCH, JAMES, J, HENDRIX, BRYAN, C, ROEDER, JEFFREY, F
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 09.09.2005
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A multi-step method for depositing ruthenium thin films having high conductivity and superior adherence to the substrate is described. The method includes the deposition of a ruthenium nucleation layer followed by the deposition of a highly conductive ruthenium upper layer. Both layers are deposited using chemical vapor deposition (CVD) employing low deposition rates. L'invention concerne un procédé à plusieurs étapes de dépôt de films minces de ruthénium possédant une conductivité élevée et une adhérence supérieure au substrat. Ce procédé comprend le dépôt d'une couche de nucléation de ruthénium, suivi par le dépôt d'une couche supérieure de ruthénium extrêmement conductrice. Les deux couches sont formées par dépôt, au moyen d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (procédé CVD) à faibles taux de dépôt.