METHOD FOR SETTING PLASMA CHAMBER HAVING AN ADAPTIVE PLASMA SOURCE, PLASMA ETCHING METHOD USING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD FOR ADAPTIVE PLASMA SOURCE

• Main Authors: KIM, NAM HEON, SONG, YEONG SU, OH, SANG RYONG, OH, YOUNG KUN, LEE, DO HYUNG, KIM, SHEUNG KI
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 07.07.2005
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLICMATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASSC23 AND AT LEAST ONEPROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25; NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed herein is a plasma chamber setting method for generating plasma in a plasma chamber. A plurality of plasma source coils, including a first plasma source coil, a second plasma source coil having an etching rate at the center part thereof higher than that of the first plasma source coil, and a third plasma source coil having an etching rate at the edge part thereof higher than that of the first plasma source coil, are prepared. The first plasma source coil is disposed on the plasma chamber, and a test wafer is etched. The etching rate for each position of the test wafer is analyzed, and first plasma source coil is replaced with the second plasma source coil or the third plasma source coil based on the analysis results. <La présente invention se rapporte à un procédé de réglage d'une chambre à plasma permettant de générer du plasma dans une chambre à plasma. Une pluralité de bobines source de plasma sont préparées, ces bobines incluant une première bobine source de plasma, une deuxième bobine source de plasma ayant un facteur de gravure en sa partie centrale supérieur à celui de la première bobine source de plasma, et une troisième bobine source de plasma ayant un facteur de gravure au niveau de sa partie latérale supérieur à celui de la première bobine source de plasma. La première bobine source de plasma est disposée sur la chambre à plasma et une plaquette d'essai est gravée. Le facteur de gravure pour chaque position de la plaquette d'essai est analysé, et la première bobine source de plasma est remplacée par la deuxième bobine source de plasma ou par la troisième bobine source de plasma en fonction des résultats de cette analyse. >