METHOD AND APPARATUS FOR SEASONING SEMICONDUCTOR APPARATUS OF SENSING PLASMA EQUIPMENT

• Main Authors: KIM, NAM HEON, SONG, YEONG SU, OH, SANG RYONG, KIM, SHEUNG KI
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 07.07.2005
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

A plasma equipment seasoning method and plasma equipment to which the seasoning method is applied. The seasoning method comprising the steps of measuring the ratio of optical emission intensity of silicon oxide (SiOx)-based chemical species to optical emission intensity of carbon fluoride compound (CFY)-­based chemical species present in a process chamber of plasma equipment before operating the plasma equipment to perform a plasma process, determining whether the value of the measured optical emission intensity ratio is within a predetermined range of normal state or not, and, when reaction gas to be used in the plasma process is supplied into the process chamber based on the result of determination such that the value of the measured optical emission intensity ratio is within the predetermined range of normal state, seasoning the interior of the process chamber to change the ratio of components of the reaction gas, and thus, to change the optical emission intensity ratio. L'invention concerne un procédé de stabilisation d'un matériel à plasma, qui consiste à mesurer, avant la mise en oeuvre du matériel à plasma pour réaliser un traitement au plasma, le rapport de l'intensité d'émission optique d'espèces chimiques à base d'oxyde de silicium (SiOx) à l'intensité d'émission optique d'espèces chimiques basées sur un composé de fluorure de carbone (CFy) présentes dans une chambre de traitement d'un matériel à plasma. Le procédé consiste ensuite à déterminer si la valeur du rapport de l'intensité d'émission optique mesurée se trouve ou non dans une plage préétablie d'état normal, et à quel moment un gaz de réaction utilisable dans le traitement au plasma est injecté dans la chambre de traitement, sur la base du résultat de la détermination établissant que la valeur du rapport de l'intensité d'émission optique mesurée se trouve dans la plage préétablie d'état normal. Le procédé consiste enfin à stabiliser l'intérieur de la chambre de traitement afin de changer le rapport des constituants du gaz de réaction et, ce faisant, le rapport de l'intensité d'émission optique.