METHOD FOR THE PRODUCTION OF AN ANTI-REFLECTING SURFACE ON OPTICAL INTEGRATED CIRCUITS

• Main Authors: MUELLER, KARLHEINZ, LANGGUTH, GERNOT, WILLE, HOLGER
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 19.05.2005
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer antireflektierenden Oberfläche auf optischen integrierten Schaltkreisen zur Verbesserung der Absorption von Licht in Photodetektoren. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein mit geringem Aufwand und damit geringen Kosten realisierbares Verfahren zur Herstellung einer antireflektieren-den Oberfläche auf optischen integrierten Schaltkreisen zu schaffen, das kompatibel zu IC- und single Device Technolo-gien ist. Erreicht wird das dadurch, dass auf der Oberfläche des Photodetektors photolithographisch ein regelmäßiges Hard-Mask-Gitter hergestellt wird, dass nachfolgend ein Strukturätzschritt bis in eine vorgegebene Tiefe in das Silizium ausgeführt wird, so dass regelmäßig verteilt angeordnete inverse Pyramiden entstehen und dass die beim Ätzen unterbrochene Anode oder Kathode des Photodetektors durch einen weiteren Implantationsschritt wieder hergestellt wird. The invention relates to a method for the production of an anti-reflecting surface on optical integrated circuits in order to improve light absorption in photodetectors. The aim of the invention is to create a method which can be produced with minimum input and in an economical manner, for the production of an anti-reflecting surface on optical integrated circuits, said method being compatible with IC technology systems and single device technology systems. Said aim is achieved by virtue of the fact that a controlled hard mask grid is produced in a photolithographic manner on the surface of the photodetector; a structure corroding step is then carried out until a predetermined depth in the silicon is reached, such that inverse pyramids which are arranged in an evenly distributed manner are produced and that an interrupted anode or a cathode of the photodetector is reproduced by another implantation step during corrosion. L'invention concerne un procédé de production d'une surface antireflet sur des circuits intégrés optiques, pour l'amélioration de l'absorption de lumière dans des photodétecteurs. L'objectif de l'invention est de créer un procédé, pouvant être mis en oeuvre avec une faible complexité et donc à faibles coûts, de réalisation d'une surface antireflet sur des circuits intégrés optiques, ce procédé devant être compatible avec les technologies des dispositifs uniques et des circuits intégrés. Cet objectif est atteint par le fait que l'on réalise, sur la surface du photodétecteur, une grille de masquage dure, on réalise ensuite une attaque de structure jusqu'à une profondeur prédéterminée dans le silicium, de sorte que l'on obtient des pyramides inversées régulièrement réparties, et que l'on reforme par une implantation ultérieure l'anode ou la cathode du photodétecteur interrompues lors de l'attaque.