AN ADVANCED TECHNIQUE FOR FORMING TRANSISTORS HAVING RAISED DRAIN AND SOURCE REGIONS WITH DIFFERENT HEIGHT

• Main Authors: VAN BENTUM, RALF, LUNING, SCOTT, KAMMLER, THORSTEN
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 19.05.2005
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The height of epitaxially grown semiconductor regions in extremely scaled semiconductor devices may be adjusted individually for different device regions in that two or more epitaxial growth steps may be carried out, wherein an epitaxial growth mask selectively suppresses the formation of a semiconductor region in a specified device region. In other embodiments, a common epitaxial growth process may be used for two or more different device regions and subsequently a selective oxidation process may be performed on selected device regions so as to precisely reduce the height of the previously epitaxially grown semiconductor regions in the selected areas. Selon l'invention, la hauteur de régions à semi-conducteurs formées par épitaxie dans des dispositifs à semi-conducteurs extrêmement peu profondes peut être ajustée de manière individuelle pour des régions de dispositif différentes en ce qu'au moins deux étapes de formation épitaxiale peuvent être mises en oeuvre, un masque de formation épitaxiale supprimant sélectivement la formation d'une région à semi-conducteurs dans une région de dispositif spécifiée. Dans d'autres modes de réalisation, un procédé de formation épitaxiale commun peut être mis en oeuvre pour au moins deux régions de dispositif différentes, et un procédé d'oxydation sélective peut ensuite être mis en oeuvre sur des régions de dispositif différentes pour réduire avec précision la hauteur des régions à semi-conducteurs préalablement formées par épitaxie dans les zones sélectionnées.