METHOD OF FORMING AN NMOS TRANSISTOR AND STRUCTURE THEREOF

• Main Authors: MOGAB, JOSEPH, C, SCHAEFFER, JAMES, K., III, SAMAVEDAM, SRIKANTH, B, MAITI, BIKAS, TOBIN, PHILIP, J
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 19.05.2005
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

In one embodiment, metal boride (MBX), metal carbide (MCx), metal carbo-nitrides (MCxNy), metal boro-carbide (MBxCy), metal boro-nitride (MBxNy) or metal boro-carbo- nitride (MBxCyNz), wherein the metal is a transition metal (Group III-XII of the periodic chart) may be suitable as NMOS gate electrode (88) materials. Such materials, such as TaC and LaB6, can be formed to have work functions that are within approximately 4 - 4.3 eV, which is desirable for NMOS transistors. In addition, the amount of carbon or nitrogen can be adjusting the amount of carbon or nitrogen in the precursor to achieve a predetermined metal work function. Dans un mode de réalisation, du borure métallique (MBX), du carbure métallique (MCX), des carbo-nitrures métalliques (MCxNy), du boro-carbure métallique (MBxCy), du boro-nitrure métallique (MBxNy) ou du boro-carbo-nitrure métallique (MBxCyNz), ledit métal étant un métal de transition (groupe III-XII du tableau périodique), peuvent être appropriés en tant que matières d'électrode grille MOS à canal N. De telles matières, telles que TaC et LaB6, peuvent être formées pour présenter des travaux d'extraction qui se situent au sein approximativement de 4 4,3 eV, ce qui est souhaitable pour des transistors MOS à canal N. En outre, la quantité de carbone ou d'azote peut ajuster la quantité de carbone ou d'azote dans le précurseur, de manière à obtenir un travail d'extraction métallique prédéterminé.