FABRICATING NANOSCALE AND ATOMIC SCALE DEVICES

• Main Authors: RUESS, FRANK, J, HAMILTON, ALEXANDER, RUDOLF, MITIC, MLADEN, CURSON, NEIL, JONATHAN, BRENNER, ROLF, GOH, K., E., JOHNSON, SIMMONS, MICHELLE, YVONNE, OBERBECK, LARS, HALLAM, TOBY
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 03.03.2005
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF; NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS; NANOTECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING

This invention concerns the fabrication of nanoscale and atomic scale devices. The method involves creating one or more registration markers. Using a SEM or optical microscope to form an image of the registration markers and the tip of a scanning tunnelling microscope (STM). Using the image to position and reposition the STM tip to pattern the device structure. Forming the active region of the device and then encapsulating it such that one or more of the registration markers are still visible to allow correct positioning of surface electrodes. The method can be used to form any number of device structures including quantum wires, single electron transistors, arrays or gate regions. The method can also be used to produce 3D devices by patterning subsequent layers with the STM and encapsulating in between. L'invention concerne la fabrication de dispositifs à échelle nanométrique et atomique. Ce procédé consiste à créer un ou plusieurs marqueurs d'enregistrement, à utiliser un MEB ou un microscope optique afin de former une image des marqueurs d'enregistrement et l'extrémité d'un microscope à effet tunnel (STM), à utiliser l'image pour positionner et repositionner l'extrémité du STM afin de modeler la structure du dispositif, à former la zone active du dispositif puis à l'encapsuler de manière qu'un ou plusieurs marqueurs d'enregistrement soient encore visibles pour permettre le bon positionnement des électrodes de surface. Ce procédé peut servir à former n'importe quel nombre de structures de dispositifs comprenant des fils quantiques, des transistors électroniques uniques, des réseaux ou des zones de grille. Ce procédé peut aussi servir à produire des dispositifs 3D par modélisation des couches suivantes avec le STM et par encapsulage entre les deux.