IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FORMING ISOLATION STRUCTURE FOR PHOTODIODE

• Main Authors: MATSUMOTO, YUJI, SAWASE, KENSUKE, SAWA, KIYOTAKA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.01.2005
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An image sensor is disclosed which comprises a plurality of photodiodes and device isolation regions. The photodiodes are arranged along the surface of a semiconductor substrate, and each photodiode has a first region of a first conductivity type formed along the semiconductor substrate, a second region of a second conductivity type different from the first conductivity type which second region is formed on the first region, and a signal extraction region of the second conductivity type formed on the second region. The device isolation regions are so formed as to electrically separate the second regions of adjacent photodiodes, and each device isolation region comprises a first trench formed between the second regions of the adjacent photodiodes and an oxide film which is formed on the first trench in the vicinity of the surfaces of the second regions. The oxide film is wider than the first trench. L'invention porte sur un capteur d'image comprenant une pluralité de photodiodes et des régions d'isolation de dispositif. Les photodiodes sont disposées le long de la surface d'un substrat à semi-conducteurs, chacune d'elles comportant une première région d'un premier type de conductivité formée le long du substrat à semi-conducteurs ; une seconde région d'un second type de conductivité différent du premier, cette seconde région étant formée sur la première région, et une région d'extraction de signal du second type de conductivité est formée sur la seconde région. Les régions d'isolation du dispositif sont formées de façon à séparer électriquement les secondes régions des photodiodes adjacentes, chaque région d'isolation du dispositif comprenant une première tranchée formée entre les secondes régions des photodiodes adjacentes et un film d'oxyde qui est formé sur la première tranchée à proximité des surfaces des secondes régions. Le film d'oxyde est plus large que la première tranchée.