COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD FOR PRODUCING SAME AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: KOHIRO, KENJI, UEDA, KAZUMASA, ABE, TOSHIMITSU, HATA, MASAHIKO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 23.12.2004
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An InGaP buffer layer (3) having a thickness of 5-500 nm is formed on a semi-insulating GaAs substrate (1) and an InAlAs layer (4) and an InGaAs channel layer (5) are formed on the InGaP buffer layer (3), thereby forming a heterostructure. Segregation of In occurs during the formation of the InGaP buffer layer (3), and excessive In are contained in the portion near the upper surface of the InGaP buffer layer (3). As a result, the composition of the surface of the InGaP buffer layer (3) is extremely close to InP composition, thereby suppressing misfit dislocations which may lead to deterioration in the surface condition. In addition, the InAlAs layer (4) and the InGaAs channel layer (5) formed on the InGaP buffer layer (3) can have good surface conditions. Une couche tampon d'InGaP (3) ayant une épaisseur comprise entre 5 et 500 nm est formée sur un substrat de GaAs semi-isolant (1) et une couche d'InAlAs (4) et une couche canal d'InGaAs (5) sont formées sur la couche tampon d'InGaP (3), formant ainsi une hétérostructure. Une séparation de l'In se produit durant la formation de la couche tampon d'InGaP (3), et l'excédent d'In est contenu dans la partie située à proximité de la surface supérieur de la couche tampon d'InGaP (3). Par conséquent, la composition de la surface de la couche tampon d'InGaP (3) est extrêmement proche de la composition d'InP, ce qui permet de supprimer les dislocations pouvant entraîner une détérioration de l'état de surface de la couche. De plus, la couche d'InAlAs (4) et la couche canal d'InGaAs (5) formées sur la couche tampon d'InGaP (3) peuvent avoir de bonnes caractéristiques de surface.